Equivalente parametrico
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BZT52B9V1-HE3_A-08 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 112-BZT52B9V1-HE3_A-08TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | BZT52B9V1-HE3_A-08 |
Descrizione | DIODE ZENER 9.1V 300MW SOD123 |
Tempi di consegna standard del produttore | 36 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Diodi - Zener 9.1 V 300 mW ±2% A montaggio superficiale SOD-123 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Impedenza (max) (Zzt) 10 Ohms |
Produttore | Corrente - Dispersione inversa a Vr 100 nA @ 7 V |
Serie | Temperatura di funzionamento 150°C (TJ) |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Grado Automobilistico |
Stato componente Attivo | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione - Zener (Vz) nom. | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tolleranza ±2% | Contenitore/involucro |
Potenza - Max 300 mW | Contenitore del fornitore SOD-123 |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| BZT52B9V1-HE3_A-18 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | 112-BZT52B9V1-HE3_A-18TR-ND | € 0,05897 | Equivalente parametrico |
| MMSZ5239C-HE3_A-08 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | 112-MMSZ5239C-HE3_A-08TR-ND | € 0,05882 | Equivalente parametrico |
| MMSZ5239C-HE3_A-18 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | 112-MMSZ5239C-HE3_A-18TR-ND | € 0,06196 | Equivalente parametrico |
| ABZT52B9V1-HF | Comchip Technology | 0 | 641-ABZT52B9V1-HFTR-ND | € 0,05982 | Equivalente parametrico |
| BZT52-B9V1-QX | Nexperia USA Inc. | 0 | 1727-BZT52-B9V1-QXTR-ND | € 0,00000 | Equivalente parametrico |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 15 000 | € 0,05596 | € 839,40 |
| 30 000 | € 0,05497 | € 1 649,10 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,05596 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,06827 |




