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BZT52B8V2-HE3-18 è obsoleto e non è più in produzione.
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Prezzo unitario : € 0,05897
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BZT52B8V2-HE3-18 | |
|---|---|
Codice DigiKey | BZT52B8V2-HE3-18-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | BZT52B8V2-HE3-18 |
Descrizione | DIODE ZENER 8.2V 410MW SOD123 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Diodi - Zener 8.2 V 410 mW ±2% A montaggio superficiale SOD-123 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Corrente - Dispersione inversa a Vr 100 nA @ 6 V |
Produttore | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C |
Serie | Grado Automobilistico |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Qualifica AEC-Q101 |
Stato componente Obsoleto | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione - Zener (Vz) nom. | Contenitore/involucro |
Tolleranza ±2% | Contenitore del fornitore SOD-123 |
Potenza - Max 410 mW | Codice componente base |
Impedenza (max) (Zzt) 7 Ohms |
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Sostituti (9)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| BZT52B8V2-HE3_A-18 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | 112-BZT52B8V2-HE3_A-18TR-ND | € 0,05897 | Consigliato dal produttore |
| BZT52C8V2S-7-F | Diodes Incorporated | 106 538 | BZT52C8V2S-FDICT-ND | € 0,21000 | Simile |
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