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Equivalente parametrico
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 1,14145
Scheda tecnica
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BYVB32-200HM3/I | |
|---|---|
Codice DigiKey | 112-BYVB32-200HM3/ITR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | BYVB32-200HM3/I |
Descrizione | DIODE ARRAY GP 200V 18A TO263AB |
Tempi di consegna standard del produttore | 9 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Schiera di diodi 1 coppia, catodo comune 200 V 18A A montaggio superficiale TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
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Categoria | Velocità Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io) |
Produttore Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Tempo di recupero inverso (Trr) 25 ns |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Corrente - Dispersione inversa a Vr 10 µA @ 200 V |
Stato componente Attivo | Temp. di funzionamento - Giunzione -65°C ~ 150°C |
Configurazione diodo 1 coppia, catodo comune | Grado Automobilistico |
Tecnologia Standard | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max 200 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 18A | Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB |
Tensione - Diretta (Vf) max a If 1.15 V @ 20 A | Contenitore del fornitore TO-263AB (D2PAK) |
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Sostituti (1)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| BYVB32-200-M3/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | 112-BYVB32-200-M3/ITR-ND | € 1,14145 | Equivalente parametrico |
Disponibile su ordinazione
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 800 | € 1,40099 | € 1 120,79 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,40099 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,70921 |
