Consigliato dal produttore
Equivalente parametrico
Equivalente parametrico
Equivalente parametrico
Equivalente parametrico
Equivalente parametrico
Equivalente parametrico
Equivalente parametrico

BYM12-50HE3_A/H | |
|---|---|
Codice DigiKey | BYM12-50HE3_A/H-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | BYM12-50HE3_A/H |
Descrizione | DIODE STANDARD 50V 1A DO213AB |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Diodi 50 V 1A A montaggio superficiale DO-213AB |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Tempo di recupero inverso (Trr) 50 ns |
Produttore | Corrente - Dispersione inversa a Vr 5 µA @ 50 V |
Serie | Capacità a Vr, F 20pF a 4V, 1MHz |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Grado Automobilistico |
Stato componente Obsoleto | Qualifica AEC-Q101 |
Tecnologia | Tipo di montaggio |
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max 50 V | Contenitore/involucro |
Corrente - Media rettificata (Io) 1A | Contenitore del fornitore DO-213AB |
Tensione - Diretta (Vf) max a If 1 V @ 1 A | Temp. di funzionamento - Giunzione -65°C ~ 175°C |
Velocità Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io) | Codice componente base |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| BYM12-50HE3_B/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | 112-BYM12-50HE3_B/HTR-ND | € 0,33415 | Consigliato dal produttore |
| BYM12-50-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 3 818 | BYM12-50-E3/96GICT-ND | € 0,73000 | Equivalente parametrico |
| BYM12-50-E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | BYM12-50-E3/97-ND | € 0,15066 | Equivalente parametrico |
| BYM12-50HE3_B/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | 112-BYM12-50HE3_B/ITR-ND | € 0,33415 | Equivalente parametrico |
| EGL41A-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 1 104 | 112-EGL41A-E3/96CT-ND | € 0,71000 | Equivalente parametrico |


