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Equivalente parametrico
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 5 878
Prezzo unitario : € 0,66000
Scheda tecnica
Equivalente parametrico
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 763
Prezzo unitario : € 0,66000
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Equivalente parametrico
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 0,14659
Scheda tecnica
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 9 170
Prezzo unitario : € 0,71000
Scheda tecnica
Equivalente parametrico
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 0,14711
Scheda tecnica
Equivalente parametrico
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 0,15863
Scheda tecnica
Equivalente parametrico
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 0,15863
Scheda tecnica
Simile
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BYG20G-M3/TR3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | BYG20G-M3/TR3-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | BYG20G-M3/TR3 |
Descrizione | DIODE AVAL 400V 1.5A DO214AC |
Tempi di consegna standard del produttore | 10 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Diodi 400 V 1,5A A montaggio superficiale DO-214AC (SMA) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria | Velocità Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io) |
Produttore | Tempo di recupero inverso (Trr) 75 ns |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Corrente - Dispersione inversa a Vr 1 µA @ 400 V |
Stato componente Attivo | Tipo di montaggio |
Tecnologia | Contenitore/involucro |
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max 400 V | Contenitore del fornitore DO-214AC (SMA) |
Corrente - Media rettificata (Io) 1,5A | Temp. di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Tensione - Diretta (Vf) max a If 1.4 V @ 1.5 A | Codice componente base |
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Sostituti (8)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| BYG20G-E3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 5 878 | BYG20G-E3/GICT-ND | € 0,66000 | Equivalente parametrico |
| BYG20G-E3/TR3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 763 | BYG20G-E3/TR3GICT-ND | € 0,66000 | Equivalente parametrico |
| BYG20G-M3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | BYG20G-M3/TR-ND | € 0,14659 | Equivalente parametrico |
| BYG20GHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 9 170 | 112-BYG20GHE3_A/HCT-ND | € 0,71000 | Equivalente parametrico |
| BYG20GHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | BYG20GHE3_A/I-ND | € 0,14711 | Equivalente parametrico |
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 15 000 | € 0,14659 | € 2 198,85 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,14659 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,17884 |
