Name: XPH4R10ANB,L1XHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPH4R10ANBL1XHQTR-ND
Price: 2.562 EUR
Availability: InStock

Canale N 100 V 70 A (Ta) 960mW (Ta), 170W (Tc) A montaggio superficiale 8-SOP Advance (5x5)

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

XPH4R10ANB,L1XHQ
Codice DigiKey	264-XPH4R10ANBL1XHQTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 264-XPH4R10ANBL1XHQCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 264-XPH4R10ANBL1XHQDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	XPH4R10ANB,L1XHQ
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 70A 8SOP
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 70 A (Ta) 960mW (Ta), 170W (Tc) A montaggio superficiale 8-SOP Advance (5x5)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	XPH4R10ANB,L1XHQ Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 75 nC @ 10 V
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (max) ±20V
Serie U-MOSVIII-H	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4970 pF @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 960mW (Ta), 170W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento 175°C
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 70 A (Ta)	Contenitore del fornitore 8-SOP Advance (5x5)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 4,1mohm a 35A, 10V	Codice componente base XPH4R10
Vgs(th) max a Id 3,5V a 1mA