GT50JR22(STA1,E,S)
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GT50JR22(STA1,E,S)
SiC FET | Datasheet Preview

TW070J120B,S1Q

Codice DigiKey
264-TW070J120BS1Q-ND
Produttore
Codice produttore
TW070J120B,S1Q
Descrizione
SICFET N-CH 1200V 36A TO3P
Tempi di consegna standard del produttore
15 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 1200 V 36 A (Tc) 272W (Tc) Foro passante TO-3P(N)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
TW070J120B,S1Q Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Serie
-
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
1200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
20V
RDSon (max) a Id, Vgs
90mohm a 18A, 20V
Vgs(th) max a Id
5,8V a 20mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
67 nC @ 20 V
Vgs (max)
±25V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1680 pF @ 800 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
272W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
Foro passante
Contenitore del fornitore
TO-3P(N)
Contenitore/involucro
Codice componente base
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Tubo
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25€ 17,51440€ 437,86
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