Name: TRS6V65H,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TRS6V65H,LQTR-ND
Price: 4.1236 EUR
Availability: InStock

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TRS6V65H,LQ
Codice DigiKey	264-TRS6V65H,LQTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 264-TRS6V65H,LQCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 264-TRS6V65H,LQDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TRS6V65H,LQ
Descrizione	DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 4DFNEP
Tempi di consegna standard del produttore	24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Diodi 650 V 6A A montaggio superficiale 4-DFN-EP (8x8)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Diodi Raddrizzatori Diodi singoli	Velocità Tempo di recupero zero > 500mA (Io)
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Tempo di recupero inverso (Trr) 0 ns
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Corrente - Dispersione inversa a Vr 70 µA @ 650 V
Stato componente Attivo	Capacità a Vr, F 392pF a 1V, 1MHz
Tecnologia SiC (Silicon Carbide) Schottky	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max 650 V	Contenitore/involucro 4-VSFN piazzola esposta
Corrente - Media rettificata (Io) 6A	Contenitore del fornitore 4-DFN-EP (8x8)
Tensione - Diretta (Vf) max a If 1.35 V @ 6 A	Temp. di funzionamento - Giunzione 175°C

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In magazzino: 4 397

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2 500	€ 1,07454	€ 2 686,35
5 000	€ 1,03050	€ 5 152,50

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 3,38000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 4,12360

TRS6V65H,LQ