Diodi 650 V 4A Foro passante TO-220-2L
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

TRS4E65H,S1Q

Codice DigiKey
264-TRS4E65H,S1Q-ND
Produttore
Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore
TRS4E65H,S1Q
Descrizione
DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220L
Tempi di consegna standard del produttore
24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Diodi 650 V 4A Foro passante TO-220-2L
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
-
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Attivo
Tecnologia
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max
650 V
Corrente - Media rettificata (Io)
4A
Tensione - Diretta (Vf) max a If
1.35 V @ 4 A
Tempo di recupero inverso (Trr)
0 ns
Corrente - Dispersione inversa a Vr
55 µA @ 650 V
Capacità a Vr, F
263pF a 1V, 1MHz
Tipo di montaggio
Foro passante
Contenitore/involucro
TO-220-2
Contenitore del fornitore
TO-220-2L
Temp. di funzionamento - Giunzione
175°C
Domande e risposte sui prodotti

Scopri cosa chiedono gli ingegneri, poni le tue domande o aiuta un membro della comunità tecnica DigiKey

In magazzino: 11
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 2,34000€ 2,34
50€ 1,04900€ 52,45
100€ 0,94260€ 94,26
500€ 0,90754€ 453,77
1 000€ 0,82526€ 825,26
Contenitore standard del produttore
Nota: a causa dei servizi a valore aggiunto di DigiKey, il tipo di confezionamento può cambiare quando un prodotto viene acquistato in quantità inferiori alla confezione standard.
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 2,34000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 2,85480