Diodi 650 V 3A Foro passante TO-220-2L
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TRS3E65H,S1Q

Codice DigiKey
264-TRS3E65H,S1Q-ND
Produttore
Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore
TRS3E65H,S1Q
Descrizione
DIODE SIL CARBIDE 650V 3A TO220L
Tempi di consegna standard del produttore
24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Diodi 650 V 3A Foro passante TO-220-2L
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
-
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Attivo
Tecnologia
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max
650 V
Corrente - Media rettificata (Io)
3A
Tensione - Diretta (Vf) max a If
1.35 V @ 3 A
Tempo di recupero inverso (Trr)
0 ns
Corrente - Dispersione inversa a Vr
45 µA @ 650 V
Capacità a Vr, F
199pF a 1V, 1MHz
Tipo di montaggio
Foro passante
Contenitore/involucro
TO-220-2
Contenitore del fornitore
TO-220-2L
Temp. di funzionamento - Giunzione
175°C
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Quantità
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Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 1,87000€ 1,87
50€ 0,87040€ 43,52
100€ 0,84210€ 84,21
500€ 0,78628€ 393,14
1 000€ 0,72143€ 721,43
Contenitore standard del produttore
Nota: a causa dei servizi a valore aggiunto di DigiKey, il tipo di confezionamento può cambiare quando un prodotto viene acquistato in quantità inferiori alla confezione standard.
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,87000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 2,28140