Diodi 650 V 12A Foro passante TO-220-2L
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TRS12E65H,S1Q

Codice DigiKey
264-TRS12E65H,S1Q-ND
Produttore
Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore
TRS12E65H,S1Q
Descrizione
DIODE SIL CARB 650V 12A TO220L
Tempi di consegna standard del produttore
24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Diodi 650 V 12A Foro passante TO-220-2L
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
-
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Attivo
Tecnologia
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max
650 V
Corrente - Media rettificata (Io)
12A
Tensione - Diretta (Vf) max a If
1.35 V @ 12 A
Tempo di recupero inverso (Trr)
0 ns
Corrente - Dispersione inversa a Vr
120 µA @ 650 V
Capacità a Vr, F
778pF a 1V, 1MHz
Tipo di montaggio
Foro passante
Contenitore/involucro
TO-220-2
Contenitore del fornitore
TO-220-2L
Temp. di funzionamento - Giunzione
175°C
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 2,35000€ 2,35
50€ 1,85820€ 92,91
100€ 1,77380€ 177,38
500€ 1,62482€ 812,41
Contenitore standard del produttore
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Prezzo unitario IVA esclusa:€ 2,35000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 2,86700