Diodi 650 V 10A A montaggio superficiale 4-DFN-EP (8x8)
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TRS10V65H,LQ

Codice DigiKey
264-TRS10V65H,LQTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
264-TRS10V65H,LQCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
264-TRS10V65H,LQDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore
TRS10V65H,LQ
Descrizione
DIODE SIL CARB 650V 10A 4DFNEP
Tempi di consegna standard del produttore
24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Diodi 650 V 10A A montaggio superficiale 4-DFN-EP (8x8)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tecnologia
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max
650 V
Corrente - Media rettificata (Io)
10A
Tensione - Diretta (Vf) max a If
1.35 V @ 10 A
Velocità
Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (Trr)
0 ns
Corrente - Dispersione inversa a Vr
100 µA @ 650 V
Capacità a Vr, F
649pF a 1V, 1MHz
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
4-VSFN piazzola esposta
Contenitore del fornitore
4-DFN-EP (8x8)
Temp. di funzionamento - Giunzione
175°C
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In magazzino: 3 320
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 3,36000€ 3,36
10€ 2,09800€ 20,98
100€ 1,88660€ 188,66
500€ 1,76082€ 880,41
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 1,62766€ 4 069,15
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 3,36000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 4,09920