Name: TPWR8004PL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPWR8004PLL1QTR-ND
Price: 4.392 EUR
Availability: InStock

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TPWR8004PL,L1Q
Codice DigiKey	TPWR8004PLL1QTR-ND - Nastrato in bobina (TR) TPWR8004PLL1QCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) TPWR8004PLL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TPWR8004PL,L1Q
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 150 A (Tc) 1W (Ta), 170W (Tc) A montaggio superficiale 8-DSOP Advance
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	TPWR8004PL,L1Q Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,4V a 1mA
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Carica del gate (Qg) max a Vgs 103 nC @ 10 V
Serie U-MOSIX-H	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 9600 pF @ 20 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta), 170W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Contenitore del fornitore 8-DSOP Advance
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 150 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base TPWR8004
RDSon (max) a Id, Vgs 0,8mohm a 50A, 10V