Name: TPW5200FNH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPW5200FNH,L1QTR-ND
Price: 4.0626 EUR
Availability: InStock

Canale N 250 V 26 A (Tc) 800mW (Ta), 142W (Tc) A montaggio superficiale 8-DSOP Advance

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TPW5200FNH,L1Q
Codice DigiKey	264-TPW5200FNH,L1QTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 264-TPW5200FNH,L1QCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 264-TPW5200FNH,L1QDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TPW5200FNH,L1Q
Descrizione	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Tempi di consegna standard del produttore	24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 250 V 26 A (Tc) 800mW (Ta), 142W (Tc) A montaggio superficiale 8-DSOP Advance
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 52mohm a 13A, 10V
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) max a Id 4V a 1mA
Serie U-MOSVIII-H	Carica del gate (Qg) max a Vgs 22 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2200 pF @ 100 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 800mW (Ta), 142W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C
Tensione drain/source (Vdss) 250 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 26 A (Tc)	Contenitore del fornitore 8-DSOP Advance
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN