Name: TPW3R70APL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPW3R70APLL1QTR-ND
Price: 3.9772 EUR
Availability: InStock

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TPW3R70APL,L1Q
Codice DigiKey	264-TPW3R70APLL1QTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 264-TPW3R70APLL1QCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 264-TPW3R70APLL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TPW3R70APL,L1Q
Descrizione	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Tempi di consegna standard del produttore	24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 90 A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) A montaggio superficiale 8-DSOP Advance
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 3,7mohm a 45A, 10V
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) max a Id 2,5V a 1mA
Serie U-MOSIX-H	Carica del gate (Qg) max a Vgs 67 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6300 pF @ 50 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 960mW (Ta), 170W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 175°C
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 90 A (Tc)	Contenitore del fornitore 8-DSOP Advance
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN