Name: TPN19008QM,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPN19008QMLQTR-ND
Price: 1.3664 EUR
Availability: InStock

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TPN19008QM,LQ
Codice DigiKey	264-TPN19008QMLQTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 264-TPN19008QMLQCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 264-TPN19008QMLQDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TPN19008QM,LQ
Descrizione	MOSFET N-CH 80V 34A 8TSON
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 34 A (Tc) 630mW (Ta), 57W (Tc) A montaggio superficiale 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	TPN19008QM,LQ Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,5V a 200µA
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Carica del gate (Qg) max a Vgs 16 nC @ 10 V
Serie U-MOSX-H	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1400 pF @ 40 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 630mW (Ta), 57W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento 175°C
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 80 V	Contenitore del fornitore 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 34 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base TPN19008
RDSon (max) a Id, Vgs 19mohm a 17A, 10V

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In magazzino: 3 677

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Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,12000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,36640

TPN19008QM,LQ