Name: TPN1110ENH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN1110ENHL1QTR-ND
Price: 2.4644 EUR
Availability: InStock

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TPN1110ENH,L1Q
Codice DigiKey	TPN1110ENHL1QTR-ND - Nastrato in bobina (TR) TPN1110ENHL1QCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) TPN1110ENHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TPN1110ENH,L1Q
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
Tempi di consegna standard del produttore	24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 200 V 7,2 A (Ta) 700mW (Ta), 39W (Tc) A montaggio superficiale 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	TPN1110ENH,L1Q Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 200µA
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Carica del gate (Qg) max a Vgs 7 nC @ 10 V
Serie U-MOSVIII-H	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 600 pF @ 100 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 700mW (Ta), 39W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 200 V	Contenitore del fornitore 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 7,2 A (Ta)	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base TPN1110
RDSon (max) a Id, Vgs 114mohm a 3,6A, 10V