Name: TPH3R10AQM,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPH3R10AQMLQTR-ND
Price: 2.6718 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

TPH3R10AQM,LQ
Codice DigiKey	264-TPH3R10AQMLQTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 264-TPH3R10AQMLQCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 264-TPH3R10AQMLQDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TPH3R10AQM,LQ
Descrizione	100V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 3.
Tempi di consegna standard del produttore	24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 120 A (Tc) 210W (Tc) A montaggio superficiale 8-SOP Advance (5x5,75)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	TPH3R10AQM,LQ Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,5V a 500µA
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Carica del gate (Qg) max a Vgs 83 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 7400 pF @ 50 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 210W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 175°C
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 120 A (Tc)	Contenitore del fornitore 8-SOP Advance (5x5,75)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 3,1mohm a 50A, 10V	Codice componente base TPH3R10