Name: TPH1R712MD,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPH1R712MDL1QTR-ND
Price: 2.2448 EUR
Availability: InStock

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TPH1R712MD,L1Q
Codice DigiKey	TPH1R712MDL1QTR-ND - Nastrato in bobina (TR) TPH1R712MDL1QCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) TPH1R712MDL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TPH1R712MD,L1Q
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP
Tempi di consegna standard del produttore	24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 60 A (Tc) 78W (Tc) A montaggio superficiale 8-SOP Advance (5x5)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	TPH1R712MD,L1Q Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1,2V a 1mA
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Carica del gate (Qg) max a Vgs 182 nC @ 5 V
Serie U-MOSVI	Vgs (max) ±12V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 10900 pF @ 10 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 78W (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Contenitore del fornitore 8-SOP Advance (5x5)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 60 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 2,5V, 4,5V	Codice componente base TPH1R712
RDSon (max) a Id, Vgs 1,7mohm a 30A, 4,5V