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TPCC8006-H(TE12LQM è obsoleto e non è più in produzione.
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Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
TPCC8006-H(TE12LQM | |
|---|---|
Codice DigiKey | TPCC8006-H(TE12LQMTR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | TPCC8006-H(TE12LQM |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 22 A (Ta) 700mW (Ta), 27W (Tc) A montaggio superficiale 8-TSON Advance (3,3x3,3) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
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Categoria | Vgs(th) max a Id 2,3V a 200µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 27 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2200 pF @ 10 V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 700mW (Ta), 27W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 30 V | Contenitore del fornitore 8-TSON Advance (3,3x3,3) |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 8mohm a 11A, 10V |
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Sostituti (5)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| TPN8R903NL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | 7 120 | TPN8R903NLLQCT-ND | € 1,18000 | Diretto |
| CSD17308Q3 | Texas Instruments | 39 180 | 296-27210-1-ND | € 1,22000 | Simile |
| RQ3E130BNTB | Rohm Semiconductor | 3 622 | RQ3E130BNTBCT-ND | € 0,76000 | Simile |
| SIS322DNT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 1 366 | SIS322DNT-T1-GE3CT-ND | € 0,91000 | Simile |
| STL11N3LLH6 | STMicroelectronics | 3 656 | 497-11099-1-ND | € 1,28000 | Simile |
Obsoleto
