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TPC6011(TE85L,F,M) | |
|---|---|
Codice DigiKey | TPC6011(TE85LFM)-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | TPC6011(TE85L,F,M) |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 6A VS-6 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 6 A (Ta) 700mW (Ta) A montaggio superficiale VS-6 (2,9x2,8) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 2,5V a 1mA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 14 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 640 pF @ 10 V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 700mW (Ta) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 30 V | Contenitore del fornitore VS-6 (2,9x2,8) |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 20mohm a 3A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| SSM6K504NU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | 1 298 | SSM6K504NULFCT-ND | € 0,46000 | Simile |
| DMN3026LVT-7 | Diodes Incorporated | 209 | DMN3026LVT-7DICT-ND | € 0,54000 | Simile |
| IRLTS6342TRPBF | Infineon Technologies | 7 765 | IRLTS6342TRPBFCT-ND | € 0,57000 | Simile |
| SI3410DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 7 018 | SI3410DV-T1-GE3CT-ND | € 1,10000 | Simile |
| SQ3410EV-T1_GE3 | Vishay Siliconix | 6 382 | SQ3410EV-T1_GE3CT-ND | € 1,04000 | Simile |





