TK80S04K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage | FET, MOSFET singoli

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TK80S04K3L(T6L1,NQ
Codice DigiKey	TK80S04K3L(T6L1NQ-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TK80S04K3L(T6L1,NQ
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 80 A (Ta) 100W (Tc) A montaggio superficiale DPAK+
Modelli EDA/CAD	TK80S04K3L(T6L1,NQ Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 87 nC @ 10 V
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (max) ±20V
Serie U-MOSIV	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4340 pF @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Dissipazione di potenza (max) 100W (Tc)
Stato componente Obsoleto	Temperatura di funzionamento 175°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 80 A (Ta)	Contenitore del fornitore DPAK+
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
RDSon (max) a Id, Vgs 3,1mohm a 40A, 10V	Codice componente base TK80S04
Vgs(th) max a Id 3V a 1mA

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
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