Name: TK7S10N1Z,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK7S10N1ZLQTR-ND
Price: 2.2448 EUR
Availability: InStock

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TK7S10N1Z,LQ
Codice DigiKey	TK7S10N1ZLQTR-ND - Nastrato in bobina (TR) TK7S10N1ZLQCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) TK7S10N1ZLQDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TK7S10N1Z,LQ
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 7A DPAK
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 7 A (Ta) 50W (Tc) A montaggio superficiale DPAK+
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	TK7S10N1Z,LQ Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 7.1 nC @ 10 V
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (max) ±20V
Serie U-MOSVIII-H	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 470 pF @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 50W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento 175°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 7 A (Ta)	Contenitore del fornitore DPAK+
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
RDSon (max) a Id, Vgs 48mohm a 3,5A, 10V	Codice componente base TK7S10
Vgs(th) max a Id 4V a 100µA