Name: TK60S10N1L,LXHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK60S10N1LLXHQTR-ND
Price: 2.5498 EUR
Availability: InStock

Canale N 100 V 60 A (Ta) 180W (Tc) A montaggio superficiale DPAK+

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TK60S10N1L,LXHQ
Codice DigiKey	264-TK60S10N1LLXHQTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 264-TK60S10N1LLXHQCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 264-TK60S10N1LLXHQDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TK60S10N1L,LXHQ
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 60A DPAK
Tempi di consegna standard del produttore	32 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 60 A (Ta) 180W (Tc) A montaggio superficiale DPAK+
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	TK60S10N1L,LXHQ Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 60 nC @ 10 V
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (max) ±20V
Serie U-MOSVIII-H	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4320 pF @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 180W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento 175°C
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 60 A (Ta)	Contenitore del fornitore DPAK+
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
RDSon (max) a Id, Vgs 6,11mohm a 30A, 10V	Codice componente base TK60S10
Vgs(th) max a Id 3,5V a 500µA