Name: TK60S06K3L(T6L1,NQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK60S06K3L(T6L1,NQTR-ND
Price: 2.7816 EUR
Availability: InStock

Canale N 60 V 60 A (Ta) 88W (Tc) A montaggio superficiale DPAK+

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TK60S06K3L(T6L1,NQ
Codice DigiKey	264-TK60S06K3L(T6L1,NQTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 264-TK60S06K3L(T6L1,NQCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 264-TK60S06K3L(T6L1,NQDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TK60S06K3L(T6L1,NQ
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 60 A (Ta) 88W (Tc) A montaggio superficiale DPAK+
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	TK60S06K3L(T6L1,NQ Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3V a 1mA
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Carica del gate (Qg) max a Vgs 60 nC @ 10 V
Serie U-MOSIV	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2900 pF @ 10 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 88W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Contenitore del fornitore DPAK+
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 60 A (Ta)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base TK60S06
RDSon (max) a Id, Vgs 8mohm a 30A, 10V

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Sostituti (4)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
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