Name: TK55S10N1,LXHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK55S10N1LXHQTR-ND
Price: 2.4644 EUR
Availability: InStock

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TK55S10N1,LXHQ
Codice DigiKey	264-TK55S10N1LXHQTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 264-TK55S10N1LXHQCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 264-TK55S10N1LXHQDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TK55S10N1,LXHQ
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
Tempi di consegna standard del produttore	74 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 55 A (Ta) 157W (Tc) A montaggio superficiale DPAK+
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	TK55S10N1,LXHQ Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 49 nC @ 10 V
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (max) ±20V
Serie U-MOSVIII-H	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3280 pF @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 157W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento 175°C
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 55 A (Ta)	Contenitore del fornitore DPAK+
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
RDSon (max) a Id, Vgs 6,5mohm a 27,5A, 10V	Codice componente base TK55S10
Vgs(th) max a Id 4V a 500µA

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In magazzino: 2 269

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Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 2,02000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 2,46440

TK55S10N1,LXHQ