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TK40P04M1(T6RSS-Q) | |
|---|---|
Codice DigiKey | TK40P04M1(T6RSS-Q)-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | TK40P04M1(T6RSS-Q) |
Descrizione | MOSFET N-CH 40V 40A DP |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 40 V 40 A (Ta) 47W (Tc) A montaggio superficiale DPAK |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | TK40P04M1(T6RSS-Q) Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 2,3V a 200µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 29 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1920 pF @ 10 V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 47W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 40 V | Contenitore del fornitore DPAK |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 11mohm a 20A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
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| TK3R1P04PL,RQ | Toshiba Semiconductor and Storage | 6 365 | TK3R1P04PLRQCT-ND | € 1,81000 | Simile |
| SQD50N05-11L_GE3 | Vishay Siliconix | 10 | SQD50N05-11L_GE3CT-ND | € 2,21000 | Simile |
| STD64N4F6AG | STMicroelectronics | 704 | 497-16304-1-ND | € 1,33000 | Simile |




