Name: TK3R1P04PL,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK3R1P04PLRQTR-ND
Price: 2.2082 EUR
Availability: InStock

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TK3R1P04PL,RQ
Codice DigiKey	TK3R1P04PLRQTR-ND - Nastrato in bobina (TR) TK3R1P04PLRQCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) TK3R1P04PLRQDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TK3R1P04PL,RQ
Descrizione	MOSFET N-CHANNEL 40V 58A DPAK
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 58 A (Tc) 87W (Tc) A montaggio superficiale DPAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	TK3R1P04PL,RQ Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,4V a 500µA
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Carica del gate (Qg) max a Vgs 60 nC @ 10 V
Serie U-MOSIX-H	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4670 pF @ 20 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 87W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento 175°C
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Contenitore del fornitore DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 58 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base TK3R1P04
RDSon (max) a Id, Vgs 3,1mohm a 29A, 10V

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Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,81000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 2,20820

TK3R1P04PL,RQ