Name: TK3P80E,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK3P80E,RQTR-ND
Price: 2.1838 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

TK3P80E,RQ
Codice DigiKey	264-TK3P80E,RQTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 264-TK3P80E,RQCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 264-TK3P80E,RQDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TK3P80E,RQ
Descrizione	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 800 V 3 A (Ta) 80W (Tc) A montaggio superficiale DPAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 300µA
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Carica del gate (Qg) max a Vgs 12 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±30V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 500 pF @ 25 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 80W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C
Tensione drain/source (Vdss) 800 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3 A (Ta)	Contenitore del fornitore DPAK
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
RDSon (max) a Id, Vgs 4,9ohm a 1,5A, 10V