Name: TK33S10N1L,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK33S10N1LLQTR-ND
Price: 2.9158 EUR
Availability: InStock

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TK33S10N1L,LQ
Codice DigiKey	264-TK33S10N1LLQTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 264-TK33S10N1LLQCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 264-TK33S10N1LLQDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TK33S10N1L,LQ
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 33 A (Ta) 125W (Tc) A montaggio superficiale DPAK+
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	TK33S10N1L,LQ Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,5V a 500µA
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Carica del gate (Qg) max a Vgs 33 nC @ 10 V
Serie U-MOSVIII-H	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2250 pF @ 10 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 125W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento 175°C
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore DPAK+
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 33 A (Ta)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base TK33S10
RDSon (max) a Id, Vgs 9,7mohm a 16,5A, 10V

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In magazzino: 2 500

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Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 2,39000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 2,91580

TK33S10N1L,LQ