Name: TK2R9E10PL,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK2R9E10PL,S1X-ND
Price: 4.3066 EUR
Availability: InStock

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TK2R9E10PL,S1X
Codice DigiKey	264-TK2R9E10PL,S1X-ND
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TK2R9E10PL,S1X
Descrizione	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 100 A (Ta) 306W (Tc) Foro passante TO-220
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSIX-H
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	100 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	2,9mohm a 50A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	161 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	9500 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	306W (Tc)
Temperatura di funzionamento	175°C
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-220
Contenitore/involucro	TO-220-3

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Tubo

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	€ 3,53000	€ 3,53
50	€ 1,80620	€ 90,31
100	€ 1,63920	€ 163,92
500	€ 1,34662	€ 673,31
1 000	€ 1,25560	€ 1 255,60

Contenitore standard del produttore

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