Name: TK170V65Z,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK170V65ZLQTR-ND
Price: 6.039 EUR
Availability: InStock

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TK170V65Z,LQ
Codice DigiKey	264-TK170V65ZLQTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 264-TK170V65ZLQCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 264-TK170V65ZLQDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TK170V65Z,LQ
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 18A 5DFN
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 18 A (Ta) 150W (Tc) A montaggio superficiale 4-DFN-EP (8x8)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	TK170V65Z,LQ Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 730µA
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Carica del gate (Qg) max a Vgs 29 nC @ 10 V
Serie DTMOSVI	Vgs (max) ±30V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1635 pF @ 300 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento 150°C
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Contenitore del fornitore 4-DFN-EP (8x8)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 18 A (Ta)	Contenitore/involucro 4-VSFN piazzola esposta
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base TK170V65
RDSon (max) a Id, Vgs 170mohm a 9A, 10V

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2 500	€ 1,74548	€ 4 363,70

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 4,95000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 6,03900

TK170V65Z,LQ