TK14G65W,RQ
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TK16G60W,RVQ

Codice DigiKey
TK16G60WRVQTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
TK16G60WRVQCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
TK16G60WRVQDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore
TK16G60W,RVQ
Descrizione
MOSFET N CH 600V 15.8A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore
16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 600 V 15,8 A (Ta) 130W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
TK16G60W,RVQ Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
DTMOSIV
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
15,8 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
190mohm a 7,9A, 10V
Vgs(th) max a Id
3,7V a 790µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1350 pF @ 300 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
130W (Tc)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
D2PAK
Contenitore/involucro
TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base
TK16G60
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In magazzino: 981
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 6,88000€ 6,88
10€ 4,67400€ 46,74
100€ 3,60090€ 360,09
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1 000€ 2,94198€ 2 941,98
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 6,88000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 8,39360