Name: TK16G60W,RVQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK16G60WRVQTR-ND
Price: 6.0878 EUR
Availability: InStock

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TK16G60W,RVQ
Codice DigiKey	TK16G60WRVQTR-ND - Nastrato in bobina (TR) TK16G60WRVQCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) TK16G60WRVQDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TK16G60W,RVQ
Descrizione	MOSFET N CH 600V 15.8A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 15,8 A (Ta) 130W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	TK16G60W,RVQ Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,7V a 790µA
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Carica del gate (Qg) max a Vgs 38 nC @ 10 V
Serie DTMOSIV	Vgs (max) ±30V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1350 pF @ 300 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 130W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 600 V	Contenitore del fornitore D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 15,8 A (Ta)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base TK16G60
RDSon (max) a Id, Vgs 190mohm a 7,9A, 10V

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Sostituti (2)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
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