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TK14G65W,RQ
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TK14G65W5,RQ

Codice DigiKey
TK14G65W5RQTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore
TK14G65W5,RQ
Descrizione
MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore
16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 650 V 13,7 A (Ta) 130W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
TK14G65W5,RQ Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
DTMOSIV
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
13,7 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
300mohm a 6,9A, 10V
Vgs(th) max a Id
4,5V a 690µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1300 pF @ 300 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
130W (Tc)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
D2PAK
Contenitore/involucro
TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base
TK14G65
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1 000€ 1,40351€ 1 403,51
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,40351
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,71228