Name: TK12A60W,S4VX
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK12A60W,S4VX-ND
Price: 5.0142 EUR
Availability: InStock

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TK12A60W,S4VX
Codice DigiKey	264-TK12A60W,S4VX-ND
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TK12A60W,S4VX
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 11.5A TO220SIS
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 11,5 A (Ta) 35W (Tc) Foro passante TO-220SIS
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	TK12A60W,S4VX Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	DTMOSIV
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	11,5 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	300mohm a 5,8A, 10V
Vgs(th) max a Id	3,7V a 600µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	890 pF @ 300 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	35W (Tc)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-220SIS
Contenitore/involucro	TO-220-3 Full Pack
Codice componente base	TK12A60

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Quantità

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Tubo

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	€ 4,11000	€ 4,11
50	€ 2,13420	€ 106,71
100	€ 1,94250	€ 194,25
500	€ 1,60700	€ 803,50
1 000	€ 1,54386	€ 1 543,86

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