Name: TK125U60Z1,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK125U60Z1RQTR-ND
Price: 4.2456 EUR
Availability: InStock

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TK125U60Z1,RQ
Codice DigiKey	264-TK125U60Z1RQTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 264-TK125U60Z1RQCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 264-TK125U60Z1RQDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TK125U60Z1,RQ
Descrizione	N-CH MOSFET, 600 V, 0.125 @10V,
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 20 A (Ta) 150W (Tc) A montaggio superficiale TOLL
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 125mohm a 6A, 10V
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) max a Id 4V a 730µA
Serie DTMOSVI	Carica del gate (Qg) max a Vgs 28 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±30V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1620 pF @ 300 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C
Tensione drain/source (Vdss) 600 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 20 A (Ta)	Contenitore del fornitore TOLL
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro 8-PowerSFN

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2 000	€ 1,13529	€ 2 270,58
4 000	€ 1,08362	€ 4 334,48

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 3,48000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 4,24560

TK125U60Z1,RQ