Name: TJ90S04M3L,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TJ90S04M3L,LQTR-ND
Price: 3.0988 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

TJ90S04M3L,LQ
Codice DigiKey	264-TJ90S04M3L,LQTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 264-TJ90S04M3L,LQCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 264-TJ90S04M3L,LQDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TJ90S04M3L,LQ
Descrizione	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 40 V 90 A (Ta) 180W (Tc) A montaggio superficiale DPAK+
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVI
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	90 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	4,3mohm a 45A, 10V
Vgs(th) max a Id	2V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	172 nC @ 10 V
Vgs (max)	+10V, -20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	7700 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	180W (Tc)
Temperatura di funzionamento	175°C
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	DPAK+
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63