Name: TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TJ8S06M3L(T6L1,NQ)TR-ND
Price: 2.0008 EUR
Availability: InStock

Canale P 60 V 8 A (Ta) 27W (Tc) A montaggio superficiale DPAK+

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TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
Codice DigiKey	264-TJ8S06M3L(T6L1,NQ)TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 264-TJ8S06M3L(T6L1,NQ)CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 264-TJ8S06M3L(T6L1,NQ)DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
Descrizione	MOSFET P-CH 60V 8A DPAK
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 60 V 8 A (Ta) 27W (Tc) A montaggio superficiale DPAK+
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	TJ8S06M3L(T6L1,NQ) Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3V a 1mA
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Carica del gate (Qg) max a Vgs 19 nC @ 10 V
Serie U-MOSVI	Vgs (max) +10V, -20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 890 pF @ 10 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 27W (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Contenitore del fornitore DPAK+
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 8 A (Ta)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base TJ8S06
RDSon (max) a Id, Vgs 104mohm a 4A, 10V