Name: SSM6P35AFE,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6P35AFELFTR-ND
Price: 0.3904 EUR
Availability: InStock

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SSM6P35AFE,LF
Codice DigiKey	SSM6P35AFELFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SSM6P35AFELFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SSM6P35AFELFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	SSM6P35AFE,LF
Descrizione	MOSFET 2P-CH 20V 0.25A ES6
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 20V 250mA (Ta) 150mW (Ta) A montaggio superficiale ES6
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SSM6P35AFE,LF Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	RDSon (max) a Id, Vgs 1,4ohm a 150mA, 4,5V
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) max a Id 1V a 100µA
Serie U-MOSVII	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 42pF a 10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Potenza - Max 150mW (Ta)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento 150°C
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Configurazione 2 canali P (doppio)	Contenitore/involucro SOT-563, SOT-666
Funzione FET Gate livello logico, comando 1,2V	Contenitore del fornitore ES6
Tensione drain/source (Vdss) 20V	Codice componente base SSM6P35
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 250mA (Ta)

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Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,32000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 0,39040

SSM6P35AFE,LF