Name: SSM6N7002BFE,LM
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6N7002BFELMTR-ND
Price: 0.2928 EUR
Availability: InStock

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SSM6N7002BFE,LM
Codice DigiKey	SSM6N7002BFELMTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SSM6N7002BFELMCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SSM6N7002BFELMDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	SSM6N7002BFE,LM
Descrizione	MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 60V 200mA 150mW A montaggio superficiale ES6
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SSM6N7002BFE,LM Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	RDSon (max) a Id, Vgs 2,1ohm a 500mA, 10V
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) max a Id 3,1V a 250µA
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 17pF a 25V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 150mW
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Configurazione 2 canali N (doppio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Funzione FET Porta a livello logico	Contenitore/involucro SOT-563, SOT-666
Tensione drain/source (Vdss) 60V	Contenitore del fornitore ES6
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 200mA	Codice componente base SSM6N7002

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)