Name: SSM6N61NU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM6N61NU,LFTR-ND
Price: 0.7808 EUR
Availability: InStock

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SSM6N61NU,LF
Codice DigiKey	264-SSM6N61NU,LFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 264-SSM6N61NU,LFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 264-SSM6N61NU,LFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	SSM6N61NU,LF
Descrizione	MOSFET 2N-CH 20V 4A 6UDFNB
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 20V 4A 2W A montaggio superficiale 6-UDFNB (2x2)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SSM6N61NU,LF Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 1V a 1mA
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Carica del gate (Qg) max a Vgs 3,6nC a 4,5V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 410pF a 10V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 2W
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione 2 canali N (doppio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Funzione FET Gate livello logico, comando 1,5V	Contenitore/involucro 6-WDFN piazzola esposta
Tensione drain/source (Vdss) 20V	Contenitore del fornitore 6-UDFNB (2x2)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4A	Codice componente base SSM6N61
RDSon (max) a Id, Vgs 33mohm a 4A, 4,5V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,64000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 0,78080

SSM6N61NU,LF