Name: SSM6K819R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM6K819RLFTR-ND
Price: 1.1468 EUR
Availability: InStock

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SSM6K819R,LF
Codice DigiKey	264-SSM6K819RLFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 264-SSM6K819RLFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 264-SSM6K819RLFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	SSM6K819R,LF
Descrizione	N-CH MOSFET, 100 V, 10 A, 0.0258
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 10 A (Ta) 1,5W (Ta) A montaggio superficiale 6-TSOP-F
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 8.5 nC @ 4.5 V
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1110 pF @ 15 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 1,5W (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento 175°C
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 10 A (Ta)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore del fornitore 6-TSOP-F
RDSon (max) a Id, Vgs 25,8mohm a 4A, 10V	Contenitore/involucro 6-SMD, conduttori piatti
Vgs(th) max a Id 2,5V a 100µA	Codice componente base SSM6K819

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)