Name: SSM6G18NU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6G18NULFTR-ND
Price: 0.5368 EUR
Availability: InStock

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SSM6G18NU,LF
Codice DigiKey	SSM6G18NULFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SSM6G18NULFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SSM6G18NULFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	SSM6G18NU,LF
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 2A 6UDFN
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 2 A (Ta) 1W (Ta) A montaggio superficiale 6-µDFN (2x2)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SSM6G18NU,LF Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 4.6 nC @ 4.5 V
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (max) ±8V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 270 pF @ 10 V
Stato componente Attivo	Funzione FET Diodo Schottky (isolato)
Tipo FET Canale P	Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 2 A (Ta)	Contenitore del fornitore 6-µDFN (2x2)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,5V, 4,5V	Contenitore/involucro 6-WDFN piazzola esposta
RDSon (max) a Id, Vgs 112mohm a 1A, 4,5V	Codice componente base SSM6G18
Vgs(th) max a Id 1V a 1mA

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Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,44000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 0,53680

SSM6G18NU,LF