Name: SSM3K376R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3K376RLFTR-ND
Price: 0.3904 EUR
Availability: InStock

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SSM3K376R,LF
Codice DigiKey	SSM3K376RLFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SSM3K376RLFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SSM3K376RLFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	SSM3K376R,LF
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 4A SOT23F
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 4 A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale SOT-23F
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SSM3K376R,LF Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1V a 1mA
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Carica del gate (Qg) max a Vgs 2.2 nC @ 4.5 V
Serie U-MOSVII-H	Vgs (max) +12V, -8V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 200 pF @ 10 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento 150°C
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore SOT-23F
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4 A (Ta)	Contenitore/involucro SOT-23-3 conduttori piatti
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,8V, 4,5V	Codice componente base SSM3K376
RDSon (max) a Id, Vgs 56mohm a 2 A, 4,5V

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Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,32000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 0,39040

SSM3K376R,LF