Name: SSM3K357R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3K357RLFTR-ND
Price: 0.5856 EUR
Availability: InStock

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SSM3K357R,LF
Codice DigiKey	SSM3K357RLFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SSM3K357RLFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SSM3K357RLFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	SSM3K357R,LF
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 650MA SOT23F
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 650mA (Ta) 1W (Ta) A montaggio superficiale SOT-23F
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SSM3K357R,LF Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2V a 1mA
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Carica del gate (Qg) max a Vgs 1.5 nC @ 5 V
Serie π-MOSV	Vgs (max) ±12V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 60 pF @ 12 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento 150°C
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Contenitore del fornitore SOT-23F
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 650mA (Ta)	Contenitore/involucro SOT-23-3 conduttori piatti
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 3V, 5V	Codice componente base SSM3K357
RDSon (max) a Id, Vgs 1,8ohm a 150mA, 5V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)