Name: SSM3J353F,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3J353FLFTR-ND
Price: 0.4392 EUR
Availability: InStock

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SSM3J353F,LF
Codice DigiKey	SSM3J353FLFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SSM3J353FLFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SSM3J353FLFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	SSM3J353F,LF
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 2A S-MINI
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 30 V 2 A (Ta) 600mW (Ta) A montaggio superficiale S-Mini
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SSM3J353F,LF Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,2V a 250µA
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Carica del gate (Qg) max a Vgs 3.4 nC @ 4.5 V
Serie U-MOSVI	Vgs (max) +20V, -25V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 159 pF @ 15 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 600mW (Ta)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento 150°C
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore S-Mini
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 2 A (Ta)	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4V, 10V	Codice componente base SSM3J353
RDSon (max) a Id, Vgs 150mohm a 2A, 10V

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Sostituti (1)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
SI2303CDS-T1-GE3	Vishay Siliconix	4 292	SI2303CDS-T1-GE3CT-ND	€ 0,70000	Simile

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,36000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 0,43920

SSM3J353F,LF