Name: SSM3J325F,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3J325FLFTR-ND
Price: 0.3782 EUR
Availability: InStock

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SSM3J325F,LF
Codice DigiKey	SSM3J325FLFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SSM3J325FLFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SSM3J325FLFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	SSM3J325F,LF
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 2 A (Ta) 600mW (Ta) A montaggio superficiale S-Mini
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SSM3J325F,LF Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 150mohm a 1A, 4,5V
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Carica del gate (Qg) max a Vgs 4.6 nC @ 4.5 V
Serie U-MOSVI	Vgs (max) ±8V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 270 pF @ 10 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 600mW (Ta)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Contenitore del fornitore S-Mini
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 2 A (Ta)	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,5V, 4,5V	Codice componente base SSM3J325

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Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,31000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 0,37820

SSM3J325F,LF