Name: SSM3J15FV,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3J15FVL3FTR-ND
Price: 0.2318 EUR
Availability: InStock

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SSM3J15FV,L3F
Codice DigiKey	SSM3J15FVL3FTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SSM3J15FVL3FCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SSM3J15FVL3FDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	SSM3J15FV,L3F
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 100MA VESM
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 30 V 100mA (Ta) 150mW (Ta) A montaggio superficiale VESM
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SSM3J15FV,L3F Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 12ohm a 10mA, 4V
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) max a Id 1,7V a 100µA
Serie π-MOSVI	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 9.1 pF @ 3 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 150mW (Ta)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore VESM
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 100mA (Ta)	Contenitore/involucro SOT-723
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 2,5V, 4V	Codice componente base SSM3J15

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)