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Nexperia USA Inc.
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Scheda tecnica
Transistor - Bipolari (BJT) - Array, pre-polarizzati 1 NPN, 1 PNP - pre-polarizzati (doppi) 50V 100mA 200MHz, 250MHz 100mW A montaggio superficiale ES6
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RN49A1FE(TE85L,F)

Codice DigiKey
264-RN49A1FE(TE85LF)TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
RN49A1FE(TE85L,F)
Descrizione
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V ES6
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Transistor - Bipolari (BJT) - Array pre-polarizzati 1 NPN, 1 PNP - pre-polarizzati (doppi) 50V 100mA 200MHz, 250MHz 100mW A montaggio superficiale ES6
Attributi del prodotto
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Categoria
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce
80 a 10mA, 5V
Produttore
Toshiba Semiconductor and Storage
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic
300mV a 250µA, 5mA
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Corrente - Interruzione collettore (max)
500nA
Stato componente
Obsoleto
Frequenza - Transizione
200MHz, 250MHz
Tipo di transistor
1 NPN, 1 PNP - pre-polarizzati (doppi)
Potenza - Max
100mW
Corrente - Collettore (Ic) max
100mA
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)
50V
Contenitore/involucro
SOT-563, SOT-666
Resistore - Base (R1)
5,6A (Ta), 11,7A (Tc)
Contenitore del fornitore
ES6
Resistore - Base emettitore (R2)
47kohm
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
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Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
PEMD10,115Nexperia USA Inc.3 4321727-PEMD10,115CT-ND€ 0,39000Simile
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