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RN49A1FE(TE85L,F) | |
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Codice DigiKey | 264-RN49A1FE(TE85LF)TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | RN49A1FE(TE85L,F) |
Descrizione | TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V ES6 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Transistor - Bipolari (BJT) - Array pre-polarizzati 1 NPN, 1 PNP - pre-polarizzati (doppi) 50V 100mA 200MHz, 250MHz 100mW A montaggio superficiale ES6 |
Categoria | Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce 80 a 10mA, 5V |
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage | Saturazione Vce (max) a Ib, Ic 300mV a 250µA, 5mA |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Corrente - Interruzione collettore (max) 500nA |
Stato componente Obsoleto | Frequenza - Transizione 200MHz, 250MHz |
Tipo di transistor 1 NPN, 1 PNP - pre-polarizzati (doppi) | Potenza - Max 100mW |
Corrente - Collettore (Ic) max 100mA | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) 50V | Contenitore/involucro SOT-563, SOT-666 |
Resistore - Base (R1) 5,6A (Ta), 11,7A (Tc) | Contenitore del fornitore ES6 |
Resistore - Base emettitore (R2) 47kohm | Codice componente base |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
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| PEMD10,115 | Nexperia USA Inc. | 3 432 | 1727-PEMD10,115CT-ND | € 0,39000 | Simile |


